图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 220MHz |
| 增益 | 23.9dB |
| 电压 - Test | 50V |
| 当前 Rating | 2.5mA |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 30mA |
| Power - 输出功率 | 10W |
| 电压 - 额定 | 110V |
| 包/盒 | TO-272BC |
| 供应商器件封装 | TO-272-2 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17286?mpart=MRF6V2010NBR5&vendor=375&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3TO-272 EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 110 V |
| 最大门源电压 | -5|10 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 包装宽度 | 6.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大漏源电压 | 110 |
| 最大频率 | 450 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Typical Drain Efficiency | 62 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 典型功率增益 | 23.9 |
| 供应商封装形式 | TO-272 |
| 标准包装名称 | TO-272 |
| 最高工作温度 | 225 |
| 输出功率 | 10 |
| 渠道类型 | N |
| 典型输入电容@ VDS | 16.3@50V |
| 包装长度 | 23.67(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.64(Max) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Flat |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 110V |
| 供应商设备封装 | TO-272-2 |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 频率 | 220MHz |
| 增益 | 23.9dB |
| 封装/外壳 | TO-272BC |
| 电流 - 测试 | 30mA |
| 额定电流 | 2.5mA |
| 功率 - 输出 | 10W |
| 其他名称 | MRF6V2010NBR5TR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | - 5 V, 10 V |
| 系列 | MRF6V2010N |
| 单位重量 | 0.042191 oz |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 110 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| associated | 80-4-5 |
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